Направления работ:
Интегральные микросхемы
Силовые:
частота до 2 МГц, ток до 10А,
напряжение до 100В
Цифровые:
частота до 800 МГц,
разрядность до 64 бит
Аналоговые:
разрядность до 24 бит, ток до 2А,
напряжение до 75В
Полупроводниковые приборы
СВЧ:
частота до 5 ГГц, напряжение до 75В, ток
до 50А, мощность до 1000 Вт
Силовые:
напряжение до 450В, ток до 100А
Коммутационные:
напряжение до 100 В, частота до 3 МГц
Источники вторичного электропитания
Число каналов - 2, формируемые напряжения и токи до 100В, 14А
Коммутационные изделия
предельное напряжение, В – UПР ≥ 100;
диапазон частот 10 кГц – 3 МГц
сопротивление контактов, мОм – RКОНТ ≤ 10
коммутируемый ток до 20 А;
сопротивление изоляции от 100 Мом;
Резисторы
номинальное сопротивление от 0,1 Ом до
1000 МОм;
номинальная мощность до 50 Вт;
предельное напряжение до 100 В;
рабочий ток до 5 А;
Дроссели и катушки индуктивности
сопротивление обмотки по постоянному току от 0,01 Ом до 10 кОм;
индуктивность обмотки от 0,1 нГн до 1000 мГн;
рабочий ток до 10 А;
рабочее напряжение до 1000 В;
Конденсаторы
номинальная ёмкость от 0,1 пФ до 10000 мкФ;
рабочее напряжение до 1000 В;
Оптоэлектронные приборы
Оптопары, оптоэлектронные ИС: ток коммутации до 1А, напряжение коммутации до 100В
Модули СВЧ
диапазон частот - до 5 ГГц
напряжение питания - до 60 В
ток – до 50 А
выходная мощность – до 1000 Вт;
Предохранители, разрядники, фильтры
рабочее напряжение до 1000 В;
номинальный ток до 20 А;
полоса пропускания до 3 МГц;
Переключатели
коммутируемое напряжение до 1500 В;
коммутируемый ток до 20 А;
сопротивление изоляции от 100 Мом;
контактное сопротивление от 0,01 мОм;
рабочая частота до 3 МГц;
Соединители электрические, изделия электроустановочные и присоединительные
коммутируемое напряжение до 1000 В;
коммутируемый ток до 20 А;
сопротивление изоляции от 100 Мом;
контактное сопротивление от 0,01 мОм;
Перечень предлагаемых услуг дизайн-центра проектирования твердотельной СВЧ-электроники полупроводниковых приборов и РЭА:
Анализ отказов\брака полупроводниковых приборов
Измерение электрических параметров транзисторов в процессе разработки и серийного производства.
Анализ элементного состава поверхности с помощью микроанализатора
Исследование и анализ электрических параметров транзисторов зарубежного и собственного производства в процессе перспективных исследований.
Контакты:
Мы готовы максимально быстро ответить на все Ваши вопросы. Напишите нам на электронную почту p.parmon@niiet.ru или позвоните по телефону: +7 (473) 280-23-12
