Специалисты воронежского Научно-исследовательского института электронной техники представили мощные СВЧ-транзисторы, созданные на перспективном материале – полупроводниковом нитриде галлия. За семь лет работы инженеры НИИЭТ добились создания высокоэффективных транзисторных структур и изготовили на их основе серию сверхвысокочастных транзисторов для нижнего диапазона частот 4 – 5 ГГц сетей 5G.
Подробнее: http://www.sitebs.ru/blogs/55103.html