УДК 539.376 Моделирование распределения тепловых напряжений, возникающих при радиационном облучении В.К.Зольников1, И.В. Семейкин2 1 ФГБОУ...
А.В. Строгонов ФГБОУ ВО «Воронежский государственный технический университет» Аннотация:в статье рассматриваются вопросы разработки учебных процессорных...
К.В. Зольников1., П.Э. Гусев2 1. АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» 2. Национальный исследовательский университет «Московский...
1И.В. Коняев, 1И.И. Бородкин, 2Е.Н. Бормонтов The influence of FR power on the surface characteristics...
В.В. Побединский, П.П. Куцько, Д.М. Кирьянов АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» АННОТАЦИЯ:статья освещает ключевые аспекты...
И. Семейкин, к. т. н.1 В Стратегии развития электронной промышленности Российской Федерации на период до...
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕДЕНИЯ ПОРОГОВОГО НАПРЯЖЕНИЕ ДМОП ТРАНЗИСТОРА С КОМБИНИРОВАННЫМ ПОДЗАТВОРНЫМ ДИЭЛЕКТРИКОМ НА ОСНОВЕ SIO2/SI3N4 В НОРМАЛЬНЫХ...
Технология LDMOS (Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor – металл-оксид-полупроводник с боковой диффузией) существует уже много лет и хорошо зарекомендовала себя в области мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторов.
Надежность является одним из ключевых требований к современной электронной аппаратуре различного назначения, включая ряд гражданских направлений. Расширяется спектр сфер, где электронике всё в большей мере отводится роль обеспечения безопасности людей и функционирования критических для жизни общества систем.
Рост скоростей передачи данных в современных телекоммуникационных системах, а также увеличение абонентской емкости стационарных точек доступа и базовых станций мобильной связи приводят к необходимости использования более высоких частот.
В статье рассматривается проект по созданию автоматической камеры для испытаний полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на тепловой удар, выполняемый АО «НИИЭТ».
Суров ИльяБелявцев АндрейДанцев ОлегИгнатенко Глеб № 5’2022, “Компоненты и технологии” В статье приводятся сведения о...
Станислав Калиниченко Александр Дыхно Илья Суров sur@niiet.ru В статье представлен комплект программноаппаратных средств для макетирования...
УДК 621.382 Опубликовано в научно-техническом журнале “Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы” Выпуск 1 (260)...
В. Бельков1 , А. Цоцорин, к. ф.‑м. н.2, И. Семейкин, к. т. н.3, М. Черных, к. т....
В АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» (АО «НИИЭТ») – одном из отечественных лидеров разработчиков и производителей отечественных СВЧ-изделий и интегральных микросхем, проведена модернизация LDMOS-технологии и создано новое поколение мощных СВЧ LDMOS-транзисторов для рабочих частот до 3 ГГц с улучшенными эксплуатационными характеристиками.
Платина как химический элемент не подвержена окислению и имеет медленную скорость реакции с широко применяемыми в микроэлектронике припоями на основе Pb-Sn, Sn-Cu и Sn-Ag-Cu, что позволяет заменить одним слоем платины два слоя металлизации контактных площадок под припойные шариковые выводы на кристалле для монтажа методом flip-chip – слой защиты от окисления и диффузионный барьерный слой. В статье исследована способность платины к смачиванию припоем, а также скорость растворения платины в припое на основе олова в сравнении с никелем - самым распространённым в настоящее время материалом для барьерных слоев.
В.В. Побединский, Н.В. Рогозин, Е.Н. Бормонтов 1АО «НИИЭТ», 394033, Воронеж, ул. Старых Большевиков, д. 5;2ФГБОУ...
УДК 621.382 Статья опубликована в научно-техническом журнале “Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника”. Выпуск 2 (170)...
В статье представлены результаты моделирования и измерения отечественных нитрид-галлиевых транзисторов. Проведен сравнительный анализ отечественных транзисторов с зарубежными аналогами. При создании структур кристаллов мощных СВЧ-транзисторов были проработаны разные конструктивные варианты.