И. Семейкин, к. т. н.1 В Стратегии развития электронной промышленности Российской Федерации на период до...
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕДЕНИЯ ПОРОГОВОГО НАПРЯЖЕНИЕ ДМОП ТРАНЗИСТОРА С КОМБИНИРОВАННЫМ ПОДЗАТВОРНЫМ ДИЭЛЕКТРИКОМ НА ОСНОВЕ SIO2/SI3N4 В НОРМАЛЬНЫХ...
Технология LDMOS (Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor – металл-оксид-полупроводник с боковой диффузией) существует уже много лет и хорошо зарекомендовала себя в области мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторов.
Надежность является одним из ключевых требований к современной электронной аппаратуре различного назначения, включая ряд гражданских направлений. Расширяется спектр сфер, где электронике всё в большей мере отводится роль обеспечения безопасности людей и функционирования критических для жизни общества систем.
Рост скоростей передачи данных в современных телекоммуникационных системах, а также увеличение абонентской емкости стационарных точек доступа и базовых станций мобильной связи приводят к необходимости использования более высоких частот.
В статье рассматривается проект по созданию автоматической камеры для испытаний полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на тепловой удар, выполняемый АО «НИИЭТ».
Суров ИльяБелявцев АндрейДанцев ОлегИгнатенко Глеб № 5’2022, “Компоненты и технологии” В статье приводятся сведения о...
Станислав Калиниченко Александр Дыхно Илья Суров sur@niiet.ru В статье представлен комплект программноаппаратных средств для макетирования...
УДК 621.382 Опубликовано в научно-техническом журнале “Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы” Выпуск 1 (260)...
В. Бельков1 , А. Цоцорин, к. ф.‑м. н.2, И. Семейкин, к. т. н.3, М. Черных, к. т....
В АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» (АО «НИИЭТ») – одном из отечественных лидеров разработчиков и производителей отечественных СВЧ-изделий и интегральных микросхем, проведена модернизация LDMOS-технологии и создано новое поколение мощных СВЧ LDMOS-транзисторов для рабочих частот до 3 ГГц с улучшенными эксплуатационными характеристиками.
Платина как химический элемент не подвержена окислению и имеет медленную скорость реакции с широко применяемыми в микроэлектронике припоями на основе Pb-Sn, Sn-Cu и Sn-Ag-Cu, что позволяет заменить одним слоем платины два слоя металлизации контактных площадок под припойные шариковые выводы на кристалле для монтажа методом flip-chip – слой защиты от окисления и диффузионный барьерный слой. В статье исследована способность платины к смачиванию припоем, а также скорость растворения платины в припое на основе олова в сравнении с никелем - самым распространённым в настоящее время материалом для барьерных слоев.
В.В. Побединский, Н.В. Рогозин, Е.Н. Бормонтов 1АО «НИИЭТ», 394033, Воронеж, ул. Старых Большевиков, д. 5;2ФГБОУ...
УДК 621.382 Статья опубликована в научно-техническом журнале “Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника”. Выпуск 2 (170)...
В статье представлены результаты моделирования и измерения отечественных нитрид-галлиевых транзисторов. Проведен сравнительный анализ отечественных транзисторов с зарубежными аналогами. При создании структур кристаллов мощных СВЧ-транзисторов были проработаны разные конструктивные варианты.
Данная публикация продолжает цикл статей, посвященных новому отечественному 32-разрядному радиационно-стойкому микроконтроллеру 1874ВЕ10Т, создаваемому в АО «НИИЭТ», базирующемуся на оригинальной системе команд и разрабатываемому в рамках ОКР, проводимой Министерством промышленности и торговли РФ (шифр: «Обработка-28»). В предыдущей статье («Компоненты и технологии» No 2’2016) рассказывалось об особенностях процессорного ядра и подсистемы прерываний. В новой статье предложен обзор периферии микроконтроллера.
По мере роста вычислительных мощностей микроконтроллеров программное обеспечение электронного оборудования играет все более важную роль в успехе реализации конечного продукта. Разработчики, выполняя сложные проекты на базе микроконтроллеров, извлекают выгоду из использования интегрированных инструментов. Поскольку изготовители микроконтроллеров интегрируют все больше встроенных аппаратных возможностей в свои платформы, разработчики встраиваемых систем должны увеличить повторное применение готового кода (библиотек) для достижения высокой производительности.
Мощные GaN-транзисторы для применения в модулях L- и S-диапазона мобильных средств связи.
Сегодня на рынке микроконтроллеров господствует два типа архитектур: RISC и CISC, причем RISC-микроконтроллеры в последнее время заметно потеснили CISC. Для того чтобы понять, почему это произошло, рассмотрим особенности обоих подходов к созданию микроконтроллерных архитектур.
В статье представлены основные эксплуатационные и электрические параметры мощных СВЧ LDMOS-кремниевых транзисторов разработки АО «НИИЭТ», предназначенных для работы в импульсных режимах в диапазонах частот до 500 МГц (серия 2П9120) и 1030…1090 МГц (серии 2П9115 и 2П9116). В этой группе транзисторов следует особо отметить 2П9120ВС с рекордными для отечественной электронной отрасли выходными характеристиками: РВЫХ= 1200 Вт на частоте 500 МГц при КУР более 16 дБ. Описаны также некоторые особенности поведения транзисторов в импульсном режиме.