Цена по запросу

Прибор находится на стадии макетирования и определения основных параметров. Представленные здесь данные со временем могут быть изменены.
 
GaN силовой транзистор для работы в ключевом режиме Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-94
Быстрое и контролируемое время спада и нарастания
Облегченные требования к затворному драйверу (от 0 В до 6 В)

Область применения: зарядные устройства для различных гаджетов, электромобилей, системы управления электродвигателями, системы преобразования электрической энергии для альтернативных источников (солнечные батареи, ветрогенераторы), системы питания беспроводных устройств и космических аппаратов, робототехника, медицинские изделия и др.
 
Основные параметры:
Максимально допустимое напряжение сток-исток UСИ = 100 В
Максимальный постоянный ток стока IC = 30 А
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии RСИ отк = 70 мОм
 
Предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации

Параметр Символ Значение Единица измерения
Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток Uси макс 100 В
Максимальный постоянный ток стока Iс макс 30 А
Максимально допустимая температура перехода tп макс 150 °С
Диапазон рабочих температур   от -55 до 150 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус транзистора* Rт п-к 0,5 °С/Вт

 

  Электрические характеристики (при температуре среды 25 °С)

Параметр Символ Значение Единица измерения Режимы измерений
Мин. Тип. Мах.
Напряжение пробоя сток-исток Uси макс 100     В UЗИ = 0 В, IСИ.УТ ≤50 мкА
Пороговое напряжение UПОР   1,15   В UСИ = UЗИ, IС = 5 мА
Ток утечки затвора IЗ УТ     700 мкА UЗИ = 8 В, UСИ = 0 В
Начальный ток стока IС. НАЧ     50 мкА UЗИ = 0 В, UСИ = 100 В
Сопротивление сток-исток в открытом соcтоянии RСИ отк   70   мОм UЗИ = 8 В, IСИ = 13 A
Входная емкость C11   286   пФ UСИ = 100 В, UЗИ = -8 В, f = 1 МГц
Выходная емкость C22   144   пФ
Проходная емкость C12   6   пФ
Заряд затвора QЗ   6,8   нКл UЗИ = 0 до 6 В, UСИ = 50 В
Заряд затвор – исток QЗС   4,3   нКл
Заряд затвор – сток QЗИ   1,7   нКл

 
Заказ тестового образца изделия

Чертеж корпуса (находится в разработке)

3D-модель (находится в разработке)