УДК 539.376 Моделирование распределения тепловых напряжений, возникающих при радиационном облучении В.К.Зольников1, И.В. Семейкин2 1 ФГБОУ...
А.В. Строгонов ФГБОУ ВО «Воронежский государственный технический университет» Аннотация:в статье рассматриваются вопросы разработки учебных процессорных...
К.В. Зольников1., П.Э. Гусев2 1. АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» 2. Национальный исследовательский университет «Московский...
1И.В. Коняев, 1И.И. Бородкин, 2Е.Н. Бормонтов The influence of FR power on the surface characteristics...
В.В. Побединский, П.П. Куцько, Д.М. Кирьянов АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» АННОТАЦИЯ:статья освещает ключевые аспекты...
И. Семейкин, к. т. н.1 В Стратегии развития электронной промышленности Российской Федерации на период до...
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕДЕНИЯ ПОРОГОВОГО НАПРЯЖЕНИЕ ДМОП ТРАНЗИСТОРА С КОМБИНИРОВАННЫМ ПОДЗАТВОРНЫМ ДИЭЛЕКТРИКОМ НА ОСНОВЕ SIO2/SI3N4 В НОРМАЛЬНЫХ...
Технология LDMOS (Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor – металл-оксид-полупроводник с боковой диффузией) существует уже много лет и хорошо зарекомендовала себя в области мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторов.
Надежность является одним из ключевых требований к современной электронной аппаратуре различного назначения, включая ряд гражданских направлений. Расширяется спектр сфер, где электронике всё в большей мере отводится роль обеспечения безопасности людей и функционирования критических для жизни общества систем.
Рост скоростей передачи данных в современных телекоммуникационных системах, а также увеличение абонентской емкости стационарных точек доступа и базовых станций мобильной связи приводят к необходимости использования более высоких частот.