ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕДЕНИЯ ПОРОГОВОГО НАПРЯЖЕНИЕ ДМОП ТРАНЗИСТОРА С КОМБИНИРОВАННЫМ ПОДЗАТВОРНЫМ ДИЭЛЕКТРИКОМ НА ОСНОВЕ SIO2/SI3N4 В НОРМАЛЬНЫХ...
Технология LDMOS (Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor – металл-оксид-полупроводник с боковой диффузией) существует уже много лет и хорошо зарекомендовала себя в области мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторов.
Надежность является одним из ключевых требований к современной электронной аппаратуре различного назначения, включая ряд гражданских направлений. Расширяется спектр сфер, где электронике всё в большей мере отводится роль обеспечения безопасности людей и функционирования критических для жизни общества систем.
Рост скоростей передачи данных в современных телекоммуникационных системах, а также увеличение абонентской емкости стационарных точек доступа и базовых станций мобильной связи приводят к необходимости использования более высоких частот.
В статье рассматривается проект по созданию автоматической камеры для испытаний полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на тепловой удар, выполняемый АО «НИИЭТ».
Суров ИльяБелявцев АндрейДанцев ОлегИгнатенко Глеб № 5’2022, “Компоненты и технологии” В статье приводятся сведения о...
Станислав Калиниченко Александр Дыхно Илья Суров sur@niiet.ru В статье представлен комплект программно­аппаратных средств для макетирования...
УДК 621.382 Опубликовано в научно-техническом журнале “Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы” Выпуск 1 (260)...
В. Бельков1 , А. Цоцорин, к. ф.‑м. н.2, И. Семейкин, к. т. н.3, М. Черных, к. т....
В АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» (АО «НИИЭТ») – одном из отечественных лидеров разработчиков и производителей отечественных СВЧ-изделий и интегральных микросхем, проведена модернизация LDMOS-технологии и создано новое поколение мощных СВЧ LDMOS-транзисторов для рабочих частот до 3 ГГц с улучшенными эксплуатационными характеристиками.