Технология LDMOS (Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor – металл-оксид-полупроводник с боковой диффузией) существует уже много лет и хорошо зарекомендовала себя в области мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторов.
Надежность является одним из ключевых требований к современной электронной аппаратуре различного назначения, включая ряд гражданских направлений. Расширяется спектр сфер, где электронике всё в большей мере отводится роль обеспечения безопасности людей и функционирования критических для жизни общества систем.
Рост скоростей передачи данных в современных телекоммуникационных системах, а также увеличение абонентской емкости стационарных точек доступа и базовых станций мобильной связи приводят к необходимости использования более высоких частот.
В статье рассматривается проект по созданию автоматической камеры для испытаний полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на тепловой удар, выполняемый АО «НИИЭТ».
Суров ИльяБелявцев АндрейДанцев ОлегИгнатенко Глеб № 5’2022, “Компоненты и технологии” В статье приводятся сведения о...
Станислав Калиниченко Александр Дыхно Илья Суров sur@niiet.ru В статье представлен комплект программноаппаратных средств для макетирования...
УДК 621.382 В.В. Побединский1,2, Н.В. Рогозин1, Т.Г. Меньшикова3, Е.Н. Бормонтов2 1АО «НИИЭТ», 394033 Воронеж, ул....
В. Бельков1 , А. Цоцорин, к. ф.‑м. н.2, И. Семейкин, к. т. н.3, М. Черных, к. т....
В АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» (АО «НИИЭТ») – одном из отечественных лидеров разработчиков и производителей отечественных СВЧ-изделий и интегральных микросхем, проведена модернизация LDMOS-технологии и создано новое поколение мощных СВЧ LDMOS-транзисторов для рабочих частот до 3 ГГц с улучшенными эксплуатационными характеристиками.
Платина как химический элемент не подвержена окислению и имеет медленную скорость реакции с широко применяемыми в микроэлектронике припоями на основе Pb-Sn, Sn-Cu и Sn-Ag-Cu, что позволяет заменить одним слоем платины два слоя металлизации контактных площадок под припойные шариковые выводы на кристалле для монтажа методом flip-chip – слой защиты от окисления и диффузионный барьерный слой. В статье исследована способность платины к смачиванию припоем, а также скорость растворения платины в припое на основе олова в сравнении с никелем - самым распространённым в настоящее время материалом для барьерных слоев.