Уважаемые коллеги!
Научно-исследовательский институт электронной техники приглашает специалистов в области микроэлектроники, инженеров, студентов технических специальностей принять участие в бесплатном семинаре «Построение усилителей мощности на базе СВЧ нитрид-галлиевых и LDMOS-кремниевых транзисторов АО"НИИЭТ"», который состоится 11 сентября 2025 года в онлайн-формате.
Дата: 11.09.2025 года
Время: 11:00
Формат: онлайн-семинар по предварительной регистрации.
В рамках мероприятия специалисты НИИЭТ представят:
• Конструктивные и технологические особенности современных СВЧ нитрид-галлиевых и LDMOS-кремниевых транзисторов
• Практические кейсы из реального опыта внедрения
• Методические рекомендации по проектированию усилителей мощности
• Схемотехнические решения с детальным разбором примеров
15 мая 2025 года в АО "НИИЭТ" прошел семинар на тему «Быстрый старт микроконтроллера К1921ВГ015».
В ходе мероприятия специалистами АО «НИИЭТ» были представлены возможности 32-разрядного ультранизкопотребляющего микроконтроллера К1921ВГ015 на базе архитектуры ядра RISС-V для гражданского рынка, разработанного и произведенного институтом.
На семинаре были рассмотрены:
⦁ Конкурентные преимущества К1921ВГ015: почему RISC-V – архитектура будущего, и какие преимущества дает использование нашего микроконтроллера на гражданском рынке.
⦁ Быстрый старт: как начать работу с К1921ВГ015, какое ПО использовать и с чего начать разработку.
⦁ Успешные кейсы применения: примеры реальных проектов, в которых успешно используется микроконтроллер К1921ВГ015 для применения в приборах учета электроэнергии и энергоносителей.
Материалы, используемые на мероприятии, доступны для скачивания:
Ультранизкопотребляющий_микроконтроллер_К1921ВГ015_Примеры_применения (pdf)
Особенности_микроконтроллера_К1921ВГ015 (pdf)
Макетно_отладочная_плата_для_К1921ВГ015 (pdf)